STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1.2 kV Erweiterung / 55 A 375 W, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
214-951
Herst. Teile-Nr.:
SCT025H120G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCT025H120G3AG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

2.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Länge

15.25mm

Höhe

4.8mm

Breite

10.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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