STMicroelectronics SCT025H120G3AG Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 1200 V Erweiterung / 55 A 375 W, 7-Pin

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

€ 23.664,00

(ohne MwSt.)

€ 28.397,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +€ 23,664€ 23.664,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-951
Herst. Teile-Nr.:
SCT025H120G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT025H120G3AG

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

2.7V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.8mm

Breite

10.4 mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Länge

15.25mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Verwandte Links