STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 23 W, 7-Pin HU3PAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 15,82

(ohne MwSt.)

€ 18,98

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • Zusätzlich 600 Einheit(en) mit Versand ab 25. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 15,82
10 - 99€ 14,23
100 +€ 13,13

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-242
Herst. Teile-Nr.:
SCT070HU120G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

HU3PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Verlustleistung Pd

23W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

3.5mm

Länge

18.58mm

Breite

14 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Verwandte Links