STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, SMD MOSFET 750 V Erweiterung / 30 A, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 215-239
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT060HU75G3AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 215-239
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- SCT060HU75G3AG
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie SCT | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
- Ursprungsland:
- JP
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
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