STMicroelectronics SCT N-Kanal, SMD MOSFET 750 V / 30 A, 7-Pin HU3PAK

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RS Best.-Nr.:
215-240
Herst. Teile-Nr.:
SCT060HU75G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

750 V

Serie

SCT

Gehäusegröße

HU3PAK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
JP
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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