STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 60 A, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
233-0470
Herst. Teile-Nr.:
SCTH60N120G2-7
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

0,052 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Silicon

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode.
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

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