STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET Typ N-Kanal, Oberfläche 650 V Erweiterung / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 671-932
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018H65G3-7
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 671-932
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018H65G3-7
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 385W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 385W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
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