STMicroelectronics IGBT / 108 A ±20V max. , 650 V 385 W, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
330-362
Herst. Teile-Nr.:
GH50H65DRB2-7AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

108 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

385 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Ursprungsland:
CN
Die neueste IGBT 650 HB2-Serie von STMicroelectronics stellt eine Weiterentwicklung der fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldstopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist dank eines besseren VCE(sat)-Verhaltens bei niedrigen Stromwerten und einer geringeren Schaltenergie optimiert.

AEC-Q101 qualifiziert
Maximale Sperrschichttemperatur TJ gleich 175 °C
Serie von Hochgeschwindigkeitsschaltern
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver Temperaturkoeffizient VCE(sat)
Co-packed mit hochfester Gleichrichterdiode
Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen treibenden Kelvin-Stifts

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