STMicroelectronics SCT0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V / 100 A 555 W, 7-Pin H2PAK-7

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 25,26

(ohne MwSt.)

€ 30,31

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 25,26
10 - 99€ 22,74
100 +€ 20,96

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
330-232
Herst. Teile-Nr.:
SCT020H120G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT0

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.5mΩ

Durchlassspannung Vf

3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

121nC

Maximale Verlustleistung Pd

555W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Quellensensorstift für mehr Effizienz

Verwandte Links