STMicroelectronics SCT0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V / 100 A 555 W, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
330-232
Herst. Teile-Nr.:
SCT020H120G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT0

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.5mΩ

Durchlassspannung Vf

3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

121nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

555W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Quellensensorstift für mehr Effizienz

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