Infineon Einfach OptiMOS™ 3 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 58 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-8715
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
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|---|---|---|
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-8715
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20, -20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20, -20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 15.95mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOSTM3 Leistungs-MOSFETs, 100 V und mehr
MOSFET-Transistoren, Infineon
Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.
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