Infineon Einfach OptiMOS 3 Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 43 A 33

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RS Best.-Nr.:
165-8110
Herst. Teile-Nr.:
IPA093N06N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.85mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.15mm

Länge

10.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon OptiMOSTM3 Leistungs-MOSFETs, 60 bis 80 V


OptiMOSTM-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und volle Flexibilität auf begrenztem Raum zu bieten. Diese Infineon-Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verbesserten Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen.

Schnell schaltender MOSFET für SMPS

Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler

Qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen

N-Kanal, Logikpegel

Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)

Sehr niedriger Einschaltwiderstand R DS(on)

Pb-freie Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon


Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.

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