Infineon Einfach HEXFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 75 V Erweiterung / 355 A 517

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RS Best.-Nr.:
145-8890
Herst. Teile-Nr.:
IRFP7718PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

355A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

552nC

Maximale Verlustleistung Pd

517W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

Lead-Free, RoHS

Höhe

20.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von Infineon umfassen N-Kanal-Geräte in SMD- und Leitergehäusen. Und Formfaktoren, die fast jede Platinenlayout- und thermische Design-Herausforderung bewältigen können. Über das gesamte Sortiment hinweg senkt Benchmark auf Widerstand die Leitungsverluste und ermöglicht es Designern, eine optimale Effizienz des Systems zu erreichen.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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