Infineon Einfach HEXFET Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 179 A, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
915-5027
Herst. Teile-Nr.:
IRFR8314TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

179A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20, -20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Breite

7.49mm

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

N-Kanal-Leistungs-MOSFET 30 V, Infineon


Die diskreten HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von Infineon umfassen N-Kanal-Geräte in SMD- und Leitergehäusen. Und Formfaktoren, die fast jede Platinenlayout- und thermische Design-Herausforderung bewältigen können. Über das gesamte Sortiment hinweg senkt Benchmark auf Widerstand die Leitungsverluste und ermöglicht es Designern, eine optimale Effizienz des Systems zu erreichen.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.

Verwandte Links