Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 179 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 915-5027
Herst. Teile-Nr.:: IRFR8314TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 179 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: IRFR8314TRPBF
Hersteller:: Infineon

IRFR8314PbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	179 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3,1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 4,5 V
Länge	6.73mm
Breite	7.49mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.39mm
Diodendurchschlagsspannung	1V

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 179 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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