Infineon IRF1407PbF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 130 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 170-2243
Herst. Teile-Nr.:: IRF1407PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon IRF1407PbF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 130 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 170-2243
Herst. Teile-Nr.:: IRF1407PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	130 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Serie	IRF1407PbF
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	7,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	330 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.83mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	160 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Höhe	16.51mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon IRF1407PbF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 130 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

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