onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 450 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 806-3428
- Herst. Teile-Nr.:
- FDH038AN08A1
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 806-3428
- Herst. Teile-Nr.:
- FDH038AN08A1
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 450 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 4.82mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 15.87mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 125 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 75 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 450 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 4.82mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 15.87mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 125 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.25V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 20.82mm | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-247
- onsemi PowerTrench N-Kanal 313 A 333 W, 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-247
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 200 A TO-247AC
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-220AB
