Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 70 A 100 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2292
Herst. Teile-Nr.:
IPP100N08N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

70 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Serie

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

18,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

100 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

26 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.57mm

Höhe

15.95mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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