Infineon Einfach OptiMOS™ 3 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 80 V Erweiterung / 70 A, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-9314
Herst. Teile-Nr.:
IPP100N08N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS™ 3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20, -20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Höhe

15.95mm

Breite

4.57mm

Länge

10.36mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
CN

Infineon OptiMOSTM3 Leistungs-MOSFETs, 60 bis 80 V


OptiMOSTM-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und volle Flexibilität auf begrenztem Raum zu bieten. Diese Infineon-Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verbesserten Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen.

Schnell schaltender MOSFET für SMPS

Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler

Qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen

N-Kanal, Logikpegel

Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)

Sehr niedriger Einschaltwiderstand R DS(on)

Pb-freie Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon


Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.

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