Infineon Einfach OptiMOS 2 Typ N, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 100 A 2.8 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
911-4846
Herst. Teile-Nr.:
BSC026N02KSGAUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

12V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.35mm

Länge

6.35mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE

Infineon OptiMOSTM2 Power MOSFET-Familie


OptiMOSTM2OptiMOS 2

MOSFET-Transistoren, Infineon


Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.

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