Infineon Einfach OptiMOS 2 Typ N, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 100 A 2.8 W, 8-Pin TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
752-8154
Herst. Teile-Nr.:
BSC026N02KSGAUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.35mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.35mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Infineon OptiMOSTM2 Power MOSFET-Familie


OptiMOSTM2OptiMOS 2

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