Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 58 A 94 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 892-2273
Herst. Teile-Nr.:: IPP126N10N3GXKSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 58 A 94 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: IPP126N10N3GXKSA1
Hersteller:: Infineon

IPP126N10N3 G, IPB123N10N3 G, IPI126N10N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	58 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	23,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	94 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.57mm
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	26 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	15.95mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 58 A 94 W, 3-Pin TO-220

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Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

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