Infineon Einfach LogicFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 55 V Erweiterung / 104 A 200

RS Best.-Nr.:: 913-3869
Herst. Teile-Nr.:: IRL2505PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon Einfach LogicFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 55 V Erweiterung / 104 A 200

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RS Best.-Nr.:: 913-3869
Herst. Teile-Nr.:: IRL2505PBF
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N, Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	104A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Serie	LogicFET
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Montageart	Durchsteckmontage, Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	200W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	130nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Höhe	8.77mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.54mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N, Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 104A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Serie LogicFET
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 200W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Höhe 8.77mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.54mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon LogicFET Serie MOSFET, 104A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRL2505PBF

Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert, die ein effizientes Energiemanagement erfordern. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 104 A und einer Drain-Source-Spannung von bis zu 55 V ist er eine wettbewerbsfähige Option auf dem Markt. Dank seiner robusten Bauweise und fortschrittlichen Spezifikationen eignet er sich für verschiedene Automatisierungs- und Elektronikanwendungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger Einschaltwiderstand von 8mΩ reduziert die Wärmeentwicklung

• Maximale Verlustleistung von 200 W erhöht die Leistung

• Durchgangslochmontage ermöglicht einfachere Integration

• Niedrige Gate Charge-Anforderungen verbessern die betriebliche Effizienz

• Das Design des Enhancement-Modus gewährleistet Leistung unter schwierigen Bedingungen

Anwendungsbereich

• Umschalten der Leistung für eine wirksame Kontrolle

• Motorantriebsschaltungen für Drehzahl- und Drehmomentregelung

• Automatisierte Systeme, die ein hohes Strommanagement erfordern

• Stromversorgungen und Umwandlungsschaltungen zur Aufrechterhaltung einer stabilen Leistung

• Industriemaschinen für eine verbesserte Leistungsaufnahme

Wie hoch ist die Schwellenspannung des Gates für die Verwendung?

Die Gate-Schwellenspannung liegt zwischen 1V und 2V und bietet somit Flexibilität für verschiedene Anwendungen.

Wie wirkt sich die Temperatur auf die Leistung aus?

Dieses Gerät kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben werden und eignet sich somit für raue Umgebungsbedingungen.

Kann es mit gepulstem Strom betrieben werden?

Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 360 A bewältigen und gewährleistet damit Zuverlässigkeit bei Kurzzeitanwendungen.

Welcher Spannungspegel kann über die Drain-Source verwaltet werden?

Er unterstützt eine maximale Spannung von 55 V, die für die meisten allgemeinen Anwendungen ideal ist.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.