Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Transistoren digital
Transistoren digital
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Derzeit nicht erhältlich
Vishay SIA N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.8 A 15.6 W, 7-Pin SC-70-6L
  • RS Best.-Nr. 279-9900
  • Herst. Teile-Nr. SIA112LDJ-T1-GE3
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
€ 6,49(ohne MwSt.)
€ 0,649/Stück
Auf Lager
STMicroelectronics STW N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung / 56 A 312 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 275-1384
  • Herst. Teile-Nr. STWA60N043DM9
Zwischensumme (1 Stück)
€ 10,12(ohne MwSt.)
€ 10,12/Stück
Auf Lager
Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
  • RS Best.-Nr. 279-9913
  • Herst. Teile-Nr. SIHH150N60E-T1-GE3
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
€ 7.638,00(ohne MwSt.)
€ 2,546/Stück
Auf Lager
Vishay SISS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 162 A 57 W, 8-Pin 1212-8S
  • RS Best.-Nr. 279-9999
  • Herst. Teile-Nr. SISS52DN-T1-UE3
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
€ 6,19(ohne MwSt.)
€ 1,238/Stück
Derzeit nicht erhältlich
Infineon OptiMOSTM N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin PG-TDSON-8
  • RS Best.-Nr. 273-2813
  • Herst. Teile-Nr. ISC011N03L5SATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)
€ 2.300,00(ohne MwSt.)
€ 0,46/Stück
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Infineon 800V CoolMOS P7, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin PG-TO251-3
  • RS Best.-Nr. 273-7471
  • Herst. Teile-Nr. IPU80R1K4P7AKMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
€ 6,48(ohne MwSt.)
€ 1,296/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Vishay SQ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 3 W, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 280-0009
  • Herst. Teile-Nr. SQ2348CES-T1_GE3
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
€ 429,00(ohne MwSt.)
€ 0,143/Stück
Derzeit nicht erhältlich
STMicroelectronics STripFETTM F7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 136 W, 4-Pin ECOPACK
  • RS Best.-Nr. 273-5096
  • Herst. Teile-Nr. STK184N4F7AG
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
€ 3,71(ohne MwSt.)
€ 1,855/Stück
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Vishay SIRS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 334 A 240 W, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 279-9969
  • Herst. Teile-Nr. SIRS4600DP-T1-RE3
Zwischensumme (1 Stück)
€ 5,02(ohne MwSt.)
€ 5,02/Stück
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Infineon SPP18P06P-H Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -18.7 A 81.1 W, 3-Pin PG-TO252-3
  • RS Best.-Nr. 273-7552
  • Herst. Teile-Nr. SPP18P06PHXKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
€ 33,75(ohne MwSt.)
€ 0,675/Stück
Wird eingestellt
Infineon IPW, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 13 A 106 W, 3-Pin PG-TO-247
  • RS Best.-Nr. 273-7473
  • Herst. Teile-Nr. IPW60R105CFD7XKSA1
Zwischensumme (1 Stück)
€ 6,24(ohne MwSt.)
€ 6,24/Stück
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Vishay SIHP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
  • RS Best.-Nr. 279-9924
  • Herst. Teile-Nr. SIHP074N65E-GE3
Zwischensumme (1 Stück)
€ 8,09(ohne MwSt.)
€ 8,09/Stück
Auf Lager
Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55.9 A 65.7 W, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 279-9942
  • Herst. Teile-Nr. SIR5108DP-T1-RE3
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
€ 11,68(ohne MwSt.)
€ 2,336/Stück
Auf Lager
Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
  • RS Best.-Nr. 279-9915
  • Herst. Teile-Nr. SIHH155N60EF-T1GE3
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
€ 7.677,00(ohne MwSt.)
€ 2,559/Stück
Auf Lager
Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 173 A 230 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 273-3030
  • Herst. Teile-Nr. IRFS7537TRLPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
€ 11,28(ohne MwSt.)
€ 2,256/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -16.4 A 63 W, 3-Pin PG-TO252-3
  • RS Best.-Nr. 273-3011
  • Herst. Teile-Nr. IPD900P06NMATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
€ 865,00(ohne MwSt.)
€ 0,346/Stück
Auf Lager
Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 279-9958
  • Herst. Teile-Nr. SIR638ADP-T1-UE3
Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)
€ 13,852(ohne MwSt.)
€ 3,463/Stück
Nur noch Restbestände
onsemi N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 900 V Erweiterung / 116 A, 4-Pin TO-247-4L
  • RS Best.-Nr. 284-9064
  • Herst. Teile-Nr. NTH4L020N090SC1
Zwischensumme (1 Stück)
€ 25,79(ohne MwSt.)
€ 25,79/Stück
Auf Lager
Vishay SIZF4800LDT N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 36 A, 12-Pin 3 x 3FS
  • RS Best.-Nr. 280-0005
  • Herst. Teile-Nr. SIZF4800LDT-T1-GE3
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
€ 2.352,00(ohne MwSt.)
€ 0,784/Stück
Auf Lager
Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 37.1 A 59.5 W, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 279-9953
  • Herst. Teile-Nr. SIR5623DP-T1-RE3
Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)
€ 10,10(ohne MwSt.)
€ 2,525/Stück
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