Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Transistoren digital
Transistoren digital
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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STMicroelectronics N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 8 A 160 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 485-8623
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Vishay IRFD9014 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP
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Vishay IRFBE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 1.8 A 54 W, 3-Pin TO-220
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.25 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
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Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 119 A 107 W, 3-Pin PG-TO263-3
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onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
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Vishay SQ4917CEY P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -8 A 6.8 W, 8-Pin SO-8
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onsemi NDT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.5 A 3 W, 4-Pin SOT-223
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onsemi NDS332 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 8.3 A 230 W, 3-Pin TO-247
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Vishay Einfach N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 500 V Erweiterung / 14 A, 3-Pin JEDEC TO-220AB
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Microchip LND150 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V, 3-Pin SOT-23
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Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 337 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Vishay Si2325DS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -150 V / -530 mA 750 mW, 3-Pin SOT-23
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DiodesZetex DMP3056L P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -4.3 A 1.38 W, 3-Pin SOT-23
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Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 153 W, 3-Pin PG-TO-247
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Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
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ROHM RUF025N02 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
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ROHM HT8K N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 7 A 13 W, 8-Pin HSMT-8
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Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 71 A 65 W, 3-Pin PG-TO252-3
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