Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Transistoren digital
Transistoren digital
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon IPDQ60R010S7A N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP
  • RS Best.-Nr. 225-0578
  • Herst. Teile-Nr. IPDQ60R010S7AXTMA1
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€ 21,02(ohne MwSt.)
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Infineon IPDQ60R010S7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP
  • RS Best.-Nr. 225-0580
  • Herst. Teile-Nr. IPDQ60R010S7XTMA1
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Vishay N-Channel 150 V N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 70.2 A 92.5 W, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 225-9930
  • Herst. Teile-Nr. SiR578DP-T1-RE3
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
€ 16,32(ohne MwSt.)
€ 3,264/Stück
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Infineon BSS123I N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 190 mA 0.5 W, 4-Pin SOT-223
  • RS Best.-Nr. 225-0557
  • Herst. Teile-Nr. BSS123IXTSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)
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STMicroelectronics, Oberfläche MOSFET 15 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 188-8425
  • Herst. Teile-Nr. STD1802T4
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
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Wolfspeed C3M N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 113.6 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 192-3523
  • Herst. Teile-Nr. C3M0075120D
Zwischensumme (1 Stück)
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Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 188-5068
  • Herst. Teile-Nr. SQD40020EL_GE3
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
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STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 85 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 188-8395
  • Herst. Teile-Nr. STD11N65M2
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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onsemi NTBLS0D7N06C N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 470 A 314 W, 8-Pin H-PSOF
  • RS Best.-Nr. 201-3405
  • Herst. Teile-Nr. NTBLS0D7N06C
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
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STMicroelectronics ST N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET-Module 600 V Entleerung / 25 A, 3-Pin TO-220FP
  • RS Best.-Nr. 202-5529
  • Herst. Teile-Nr. STP33N60DM6
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
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Vishay SiHG105N60EF N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 208 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 204-7209
  • Herst. Teile-Nr. SIHG105N60EF-GE3
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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Vorübergehend ausverkauft
Vishay SiHA125N60EF N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 179 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 204-7242
  • Herst. Teile-Nr. SIHA125N60EF-GE3
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
€ 23,88(ohne MwSt.)
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Toshiba N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 82 A, 8-Pin SOP
  • RS Best.-Nr. 206-9793
  • Herst. Teile-Nr. TPH3R704PC,LQ(S
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
€ 21,60(ohne MwSt.)
€ 0,864/Stück
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DiodesZetex DMN4035 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 4.6 A, 3-Pin SOT-23
  • RS Best.-Nr. 206-0089
  • Herst. Teile-Nr. DMN4035L-7
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)
€ 6,30(ohne MwSt.)
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Derzeit nicht erhältlich
Vishay SiR180ADP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 137 A 83.3 W, 8-Pin SO-8
  • RS Best.-Nr. 210-5000
  • Herst. Teile-Nr. SiR180ADP-T1-RE3
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
€ 2.556,00(ohne MwSt.)
€ 0,852/Stück
Vorübergehend ausverkauft
DiodesZetex DMN10H220LDV N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10.5 A 40 W, 8-Pin PowerDI3333
  • RS Best.-Nr. 213-9148
  • Herst. Teile-Nr. DMN10H220LDV-7
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)
€ 308,00(ohne MwSt.)
€ 0,154/Stück
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Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 62 A 69 W, 8-Pin PQFN
  • RS Best.-Nr. 214-4343
  • Herst. Teile-Nr. BSZ096N10LS5ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
€ 13,20(ohne MwSt.)
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Infineon OptiMOS-T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 70 A 125 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 214-4390
  • Herst. Teile-Nr. IPD70N12S311ATMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
€ 11,62(ohne MwSt.)
€ 1,162/Stück
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Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 10 A 22.7 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 214-4359
  • Herst. Teile-Nr. IPAN70R450P7SXKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)
€ 12,825(ohne MwSt.)
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Infineon 600V CoolMOS CFD7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 63 A 278 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 214-4429
  • Herst. Teile-Nr. IPW60R031CFD7XKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
€ 21,91(ohne MwSt.)
€ 10,955/Stück
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