Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Transistoren digital
Transistoren digital
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

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Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 560 V / 32 A 284 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 753-3226
  • Herst. Teile-Nr. SPW32N50C3FKSA1
Zwischensumme (1 Stück)
€ 8,59(ohne MwSt.)
€ 8,59/Stück
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Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 63 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 753-3197
  • Herst. Teile-Nr. SPP04N80C3XKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
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onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8 A 54 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 759-9475
  • Herst. Teile-Nr. FDD86102LZ
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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€ 2,428/Stück
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STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 760-9972
  • Herst. Teile-Nr. STP10NM60N
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
€ 17,10(ohne MwSt.)
€ 3,42/Stück
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STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 761-0011
  • Herst. Teile-Nr. STP14NM50N
Zwischensumme (1 Stück)
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€ 3,84/Stück
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 11 A 230 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 761-0617
  • Herst. Teile-Nr. STW12NK90Z
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 120 A 98 W TO-252
  • RS Best.-Nr. 257-5883
  • Herst. Teile-Nr. IRFR7446TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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Infineon IGBT / 40 A, 1200 V 480 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
  • RS Best.-Nr. 906-4488
  • Herst. Teile-Nr. IKW40N120T2FKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
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Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 173 A TO-220
  • RS Best.-Nr. 257-9363
  • Herst. Teile-Nr. IRFB7537PBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 40 A 46 W PQFN
  • RS Best.-Nr. 257-9375
  • Herst. Teile-Nr. IRFH5406TRPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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STMicroelectronics Schaltdiode Einfach 8 A 1200 V Durchsteckmontage TO-220 2-Pin
  • RS Best.-Nr. 168-7731
  • Herst. Teile-Nr. STTH812FP
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
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Infineon IPA N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 13.8 A TO-220
  • RS Best.-Nr. 259-1539
  • Herst. Teile-Nr. IPA60R280P6XKSA1
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)
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Nexperia AEC-Q101 1 TVS-Diode Unidirektional Einfach 180 W 6.2 V min., 2-Pin, Oberfläche 5 V max SOD-523
  • RS Best.-Nr. 124-2385
  • Herst. Teile-Nr. PESD5Z5.0,115
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)
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Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 13.3 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 260-1101
  • Herst. Teile-Nr. IPB95R450PFD7ATMA1
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Infineon IPW, Durchsteckmontage MOSFET / 50 A, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 260-5161
  • Herst. Teile-Nr. IPW60R040C7XKSA1
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Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET P / 15.1 A TO-252
  • RS Best.-Nr. 260-5146
  • Herst. Teile-Nr. IPD65R400CEAUMA1
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)
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Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 262-5867
  • Herst. Teile-Nr. IPD038N06NF2SATMA1
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Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 262-6744
  • Herst. Teile-Nr. IRF9Z34NSTRLPBF
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
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ROHM RSR010N10HZG N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1 W, 3-Pin SOT-346
  • RS Best.-Nr. 264-3843
  • Herst. Teile-Nr. RSR010N10HZGTL
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Microchip VP0104 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 40 V / -500 mA 1 W, 3-Pin TO-92
  • RS Best.-Nr. 264-8949
  • Herst. Teile-Nr. VP0104N3-G
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)
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