IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 300 V / 115 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)*

€ 330,15

(ohne MwSt.)

€ 396,18

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 40 Einheit(en) mit Versand ab 23. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
10 +€ 33,015€ 330,15

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
920-0748
Herst. Teile-Nr.:
IXFN140N30P
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

115A

Drain-Source-Spannung Vds max.

300V

Serie

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

700W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

185nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

25.07 mm

Höhe

9.6mm

Länge

38.2mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links