IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 61 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 33,05

(ohne MwSt.)

€ 39,66

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 5 Einheit(en) mit Versand ab 26. Oktober 2026
  • Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 02. November 2026
  • Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 14. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 4€ 33,05
5 +€ 28,51

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
194-568
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-377
Herst. Teile-Nr.:
IXFN64N50P
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

61A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

85mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Maximale Verlustleistung Pd

700W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

38.23mm

Breite

25.42mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.