IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 72 A 1.04 kW, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 194-130
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN82N60P
- Hersteller:
- IXYS
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 51,73
(ohne MwSt.)
€ 62,08
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 2 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 49 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 6 Einheit(en) mit Versand ab 18. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | € 51,73 |
| 2 - 4 | € 50,18 |
| 5 + | € 49,15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 194-130
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN82N60P
- Hersteller:
- IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.04kW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 240nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 38.2mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.04kW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 240nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 38.2mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS HiperFET Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 72 A 1.04 kW, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Panel MOSFET Erweiterung 800 V / 53 A 1.04 kW, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 625 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Panel MOSFET Erweiterung 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 61 A 700 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Panel MOSFET Erweiterung 300 V / 115 A 700 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Panel MOSFET Erweiterung 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227