IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 300 V / 115 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 33,02

(ohne MwSt.)

€ 39,62

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 40 Einheit(en) mit Versand ab 28. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 1€ 33,02
2 - 4€ 32,36
5 +€ 31,37

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
193-739
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-363
Herst. Teile-Nr.:
IXFN140N30P
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

115A

Drain-Source-Spannung Vds max.

300V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

700W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

185nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.6mm

Länge

38.2mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links