IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 800 V / 53 A 1.04 kW, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
194-350
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-376
Herst. Teile-Nr.:
IXFN60N80P
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

53A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

140mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

250nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.04kW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

38.23mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

25.42mm

Höhe

9.6mm

Automobilstandard

Nein

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