IXYS Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227

Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)*

€ 272,32

(ohne MwSt.)

€ 326,78

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
10 +€ 27,232€ 272,32

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
920-0735
Herst. Teile-Nr.:
IXFN140N20P
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

115A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

680W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

240nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.6mm

Länge

38.23mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

25.42 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links