Vishay Si4190ADY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 6,62

(ohne MwSt.)

€ 7,945

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 030 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +€ 1,324€ 6,62

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9235
Herst. Teile-Nr.:
SI4190ADY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4190ADY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links