Vishay ThunderFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.1 A 5.7 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
787-9137
Herst. Teile-Nr.:
SI4056DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

ThunderFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

31mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

5.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, mittlerer Spannung/thunderfet®, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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