Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20.5 A 5.7 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 16,44

(ohne MwSt.)

€ 19,73

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 1,644€ 16,44
50 - 90€ 1,544€ 15,44
100 - 240€ 1,398€ 13,98
250 - 490€ 1,316€ 13,16
500 +€ 1,234€ 12,34

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
812-3195
Herst. Teile-Nr.:
SI4124DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.009Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Verlustleistung Pd

5.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.55mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links