Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.9 A 5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 4,50

(ohne MwSt.)

€ 5,40

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 125 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 0,90€ 4,50
50 - 245€ 0,848€ 4,24
250 - 495€ 0,766€ 3,83
500 - 1245€ 0,722€ 3,61
1250 +€ 0,674€ 3,37

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
710-3311
Herst. Teile-Nr.:
SI4128DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.03Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.8nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links