Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.9 A 5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
710-3311
Herst. Teile-Nr.:
SI4128DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.03Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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