Vishay Si4116DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 12.7 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
710-3317
Herst. Teile-Nr.:
SI4116DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

Si4116DY

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Höhe

1.55mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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