Vishay Si4190ADY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 6 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
919-4233
Herst. Teile-Nr.:
SI4190ADY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4190ADY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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