Vishay Si4162DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 13.6 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
710-3323
Herst. Teile-Nr.:
SI4162DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4162DY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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