Vishay Si4435DDY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.1 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
710-3339
Herst. Teile-Nr.:
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

Si4435DDY

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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