Infineon BSS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 540 mA 81 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
250-0559
Herst. Teile-Nr.:
BSS670S2LH6433XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

540mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

BSS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon stellt diese OptiMOS-Abwärtswandler-Serie im N-Kanal-Enhancement-Modus her. Sie ist Avalanche-getestet und halogenfrei.

VDS ist 55 V, Rds(on) ist 650 mΩ und Id ist 0,54 A

Halogenfrei

Maximale Verlustleistung ist 360 mW

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