Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.15 A 81 W, 3-Pin SOT-23

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
250-0558
Herst. Teile-Nr.:
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

BSS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Der Small-Signal-Transistor OptiMOS P 2. Der Logikpegel beträgt 4,5 V und ist Avalanche-getestet.

Der Logikpegel beträgt 4,5 V

100 % bleifrei und halogenfrei

Die maximale Verlustleistung beträgt 500 mW

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