Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 0.1 A 81 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
250-0543
Herst. Teile-Nr.:
BSS139H6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

BSS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der SIPMOS-Small-Signal-Transistor von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor im Depletion-Modus, der häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt wird. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Das Produkt ist dv /dt bewertet. Das Produkt ist mit VGS(th)-Anzeige auf der Spule erhältlich. Das Produkt ist halogenfrei und hat eine Pb-freie Bleibeschichtung.

Pb-freie Bleibeschichtung

Maximale Verlustleistung ist 360 mW

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