Infineon BSS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 100 mA 81 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 250-0544
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-498
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS139H6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30000mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30000mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der BSS-Serie von Infineon, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 0,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS139H6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Transistor mit Depletion-Modus, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine kontrollierte Schaltung mit niedrigem Strom bei hoher Spannung erforderlich ist. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Compact SOT-23-Abmessungen in Systemen, die eine Kfz-Zulassung und RoHS-konforme Komponenten erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 250 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• Der maximale Drain-Source-Widerstand von 30.000 mΩ reduziert den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
• Maximale Verlustleistung von 81 W unterstützt kurzzeitige thermische Lasten
• 80 nC typische Gate-Ladung bietet vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Die maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V ermöglicht einen robusten Gate-Treiber-Schutzraum
• Der maximale Drain-Source-Widerstand von 30.000 mΩ reduziert den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
• Maximale Verlustleistung von 81 W unterstützt kurzzeitige thermische Lasten
• 80 nC typische Gate-Ladung bietet vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Die maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V ermöglicht einen robusten Gate-Treiber-Schutzraum
Anwendungsbereich
• Geeignet für analoge Hochspannungs-Bias-Schaltkreise
• Ideal für die Schwachstromsteuerung in Sensorschnittstellen
• Einsatz in der Automobilelektronik, die die AEC-Q101-Konformität erfordert
• Kann für kompakte SOT-23-Oberflächenmontage-Designs verwendet werden
• Geeignet für temperaturstabile Systeme in weiten Bereichen
• Ideal für die Schwachstromsteuerung in Sensorschnittstellen
• Einsatz in der Automobilelektronik, die die AEC-Q101-Konformität erfordert
• Kann für kompakte SOT-23-Oberflächenmontage-Designs verwendet werden
• Geeignet für temperaturstabile Systeme in weiten Bereichen
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Es funktioniert von -55 °C bis +150 °C.
Wie viele Klemmen bietet das Gehäuse?
Das Gerät wird in einem dreipoligen SOT-23-Gehäuse geliefert.
Was ist der typische Kanal-Leitungsmodus und -Typ?
Es verwendet einen Depletion-Kanal in einer N‐Typ-Konfiguration.
Welche Normen oder Zulassungen erfüllt er?
Er ist RoHS-konform und erfüllt die AEC-Q101-Kriterien für die Automobilindustrie.
Wie hoch ist die typische Gate-Ladung bei Nenn-Gate-Antrieben?
Die Gate-Ladung beträgt typischerweise 80 nC unter den angegebenen Gate-Bedingungen.
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