Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 0.3 A 81 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
250-0549
Distrelec-Artikelnummer:
304-40-499
Herst. Teile-Nr.:
BSS159NH6906XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

BSS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET-Transistor im Depletion-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Es handelt sich um einen SIPMOS-Small-Signal-Transistor. Das Produkt ist für dv /dt ausgelegt und mit V GS(th)-Anzeige auf der Spule erhältlich. Das Produkt ist 100 % bleifrei; Halogenfrei.

VDS ist 60 V, RDS(on),max 8 Ω und IDSS, Min. ist 0,13 A

Maximale Verlustleistung ist 360 mW

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