Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 170 mA 81 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 250-0550
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS169H6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSS169H6327XTSA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12000mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12000mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der BSS-Serie von Infineon, 100 V Drain-Source-Spannung, 0,17 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSS169H6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Transistor im Depletion-Modus in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage, das für die Steuerung und das Schalten in beengten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für elektrisch anspruchsvolle Umgebungen, in denen thermische Belastbarkeit und Niederspannungs-Gate-Steuerung erforderlich sind. Das Gerät ist RoHS-konform und erfüllt eine Kfz-Qualifizierung für den Einsatz in der Fahrzeugelektronik.
Merkmale und Vorteile:
• Der Depletion-Kanal ermöglicht den normalen Betrieb für ausfallsichere Schaltkreise
• Große Temperaturtoleranz ermöglicht den Betrieb von -55 °C bis +150 °C
• Niedriger Dauerstrom unterstützt präzise Schwachstromsteuerung
• Hohe Nennspannung schützt vor Transienten bis zu 100 V
• Das SOT‐23-Gehäuse ermöglicht eine kompakte Oberflächenmontage
• Große Temperaturtoleranz ermöglicht den Betrieb von -55 °C bis +150 °C
• Niedriger Dauerstrom unterstützt präzise Schwachstromsteuerung
• Hohe Nennspannung schützt vor Transienten bis zu 100 V
• Das SOT‐23-Gehäuse ermöglicht eine kompakte Oberflächenmontage
Anwendungsbereich
• Ideal für analoge Bias- und Level-Shift-Netzwerke
• Geeignet für das Schalten von Kleinsignallasten in Steuermodulen
• Wird mit Sensorschnittstellen verwendet, die ein normalerweise eingeschaltetes Verhalten erfordern
• Kann für Kfz-Hilfsschaltkreise gemäß AEC-Q101 verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmanagement-Unterschaltungen
• Geeignet für das Schalten von Kleinsignallasten in Steuermodulen
• Wird mit Sensorschnittstellen verwendet, die ein normalerweise eingeschaltetes Verhalten erfordern
• Kann für Kfz-Hilfsschaltkreise gemäß AEC-Q101 verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmanagement-Unterschaltungen
Wie hoch ist die maximale Gate-to-Source-Spannung, die das Gerät aufnehmen kann?
Es toleriert bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle.
Wie viel Leistung kann es während des Betriebs ableiten?
Das Gerät hat eine maximale Verlustleistung von 81 W.
Für welche Gate-Ladung sollte der Entwickler bei Vgs ein Budget haben?
Die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 80 nC, gemessen am spezifizierten Gate-Treiber.
Welche Bedeutung hat die Widerstandscharakteristik für die thermische Planung?
Der maximale Drain-Source-Widerstand beträgt unter bestimmten Bedingungen 12.000 mΩ.
Ist dieses Gerät für die automatisierte Leiterplattenmontage verpackt?
Ja, es wird in einem SOT‐23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.