Infineon BSS N-Kanal MOSFET Erweiterung 600 V / 90 mA, 3-Pin SOT-89

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus, der für Hochspannungs- und Schwachstromschaltungen in kompakten SOT-89-Gehäusen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und erfüllt die Qualifizierungsstandards der Automobilindustrie bei gleichzeitiger Einhaltung der RoHS-Umweltanforderungen.

• Maximale Drain-Source-Spannung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• Der maximale Drain-Source-Widerstand von 45 Ω begrenzt die Leckage im Aus-Zustand
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,09 A unterstützt Schaltkreise mit niedrigem Stromverbrauch
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei extremen Temperaturen
• Das SOT-89-Gehäuse reduziert den Platzbedarf der Leiterplatte für kompakte Layouts

• Geeignet für Schwachstrom-Kfz-Steuerschaltkreise
• Ideal für die Schaltung von Hochspannungssignalen
• Einsatz mit industriellen Sensoren, die eine große Temperaturtoleranz erfordern
• Kann für kompakte Stromverwaltungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Designs, die Komponenten in Automobilqualität erfordern

Es verwendet ein SOT-89-Gehäuse, das eine geringe Grundfläche und einen thermischen Pfad bietet, der für Transistorimplementierungen mit geringem Stromverbrauch und hoher Spannung geeignet ist.

Er erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für die Fahrzeugelektronik geeignet ist.

Das Gerät ist N-Kanal und im Verstärkungsmodus angeordnet, wodurch eine steuerbare Leitfähigkeit gewährleistet wird, wenn es angesteuert wird.

Er entspricht den RoHS-Anforderungen, was die Beschränkung bestimmter gefährlicher Stoffe in seiner Konstruktion anzeigt.