onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 600 mA 625 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)
- RS Best.-Nr.:
- 166-3667
- Herst. Teile-Nr.:
- FDY302NZ
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-523 (SC-89) | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V, -12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 780μm | |
| Breite | 980μm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-523 (SC-89) | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V, -12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 780μm | ||
Breite 980μm | ||
Länge 1.7mm | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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