onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 600 mA 625 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)
- RS Best.-Nr.:
- 671-0845
- Herst. Teile-Nr.:
- FDY300NZ
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOT-523 (SC-89) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 240mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V, -12V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 980μm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Höhe | 780μm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOT-523 (SC-89) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 240mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V, -12V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 980μm | ||
Länge 1.7mm | ||
Höhe 780μm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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