Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

View all MOSFET
Bulk discount available

Subtotal (1 unit)*

€ 8,19

(exc. VAT)

€ 9,83

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
Auf Lager
  • 2 050 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Units
Per unit
1 - 9€ 8,19
10 - 24€ 7,70
25 - 49€ 6,97
50 - 99€ 6,55
100 +€ 6,14

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
239-8636
Mfr. Part No.:
SIHK055N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.05Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

236W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie E von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.

Technologie

der Serie E 4. Generation Niedrige effektive Kapazität

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Related links