Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
239-5378
Herst. Teile-Nr.:
SIHK065N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

34 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay hat einen Ablaufstrom von 34 A. Er wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrekturnetzteile (PFC) verwendet.

Technologie der Serie E der 4. Generation
Niedriger Leistungsfaktor (FOM) Ron xQg
Niedrige effektive Kapazität(Co(er))
Reduzierte Schalt- undLeitungsverluste
Avalanche-Energie-Nennwert (UIS)

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