Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 239-8633
Herst. Teile-Nr.:: SIHK045N60E-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

€ 7.814,00

(ohne MwSt.)

€ 9.376,00

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Auf Lager

2 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 +	€ 3,907	€ 7.814,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 239-8633
Herst. Teile-Nr.:: SIHK045N60E-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	21A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	E
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.04Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	54nC
	Maximale Verlustleistung Pd	132W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie E
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.04Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC
	Maximale Verlustleistung Pd 132W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHK045N60E-T1-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 48 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK045N60E-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsmanagement in anspruchsvollen elektrischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen Zuverlässigkeit auf Automobilniveau und hohe Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 650 V Ablassspannung ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 48 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten • 0,043 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 98 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen • Maximale Verlustleistung von 278 W für erhebliche thermische Handhabung • AEC-Q101-Qualifizierung, die den Anforderungen der Stressüberwachung im Automobilbereich gerecht wird

Anwendungen

• Geeignet für Traktionsumrichter und Motorsteuerungsstufen in Fahrzeugen • Ideal für Hochspannungs-Leistungswandler in der industriellen Automatisierung • Wird für die DC/DC-Umwandlung in elektrischen Hochleistungssystemen verwendet • Kann für Schaltnetzteile in anspruchsvollen Umgebungen verwendet werden

Welche Gate-Antriebsaspekte sollte ich zulassen?

Gate-Treiber so ausgelegt, dass sie etwa die typische 98-nC-Ladung bei den gewählten Vgs liefern, um sicherzustellen, dass die Schaltgeschwindigkeit mit dem System-Timing übereinstimmt und gleichzeitig die Schaltverluste begrenzt werden.

Wie sollte das Wärmemanagement auf Leiterplattenbaugruppen behandelt werden?

Verwenden Sie das PowerPAK 10x12-Oberflächengehäuse zur Wärmeableitung und zur Bereitstellung einer ausreichenden Kupferfläche und -durchführung, um bis zu 278 W unter definierten Kühlbedingungen abzuleiten.

Welche Spannungsbereiche sind für die Sicherheitskonstruktion geeignet?

Wählen Sie Systembetriebsspannungen deutlich unter der maximalen Drain-Source-Nennleistung von 650 V aus und begrenzen Sie Gate-Exkursionen innerhalb der Gate-Source-Einschränkung von ±30 V.

Gibt es Einschränkungen bei der Umgebungstemperatur für den Betrieb?

Das Gerät funktioniert von -55 °C bis +150 °C Sperrschichttemperatur, sodass die Systemkühlung und -abstufung Hochtemperatur-Betriebspunkte berücksichtigen müssen.